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但是，拼多三端结构的晶体管丧失了两端忆阻器优良的两端交叉结构，不利于高密度集成。

然而，多上从实验上了解通道中缺陷对传输的影响仍具有挑战性。拼多图4双层石墨烯模型中阳离子插层石墨烯纳米通道的水亲和模拟研究©2022TheAuthors（a）第一性原理分子动力学模拟中初始状态(0ps)的模拟单元示意图。

具体来说，多上GOM纳米通道由石墨区和官能团区组成。在石墨区，拼多水的传输被认为是无摩擦的，在官能团区，水的传输受到阻碍。然而，多上关于不同阳离子插层对水在纳米微管中的传输的影响，目前还缺乏系统的研究。

拼多对摩擦的影响会随着水分子和缺陷之间氢键的数量而增加。然而，多上缺陷和杂质对传输影响的在实验上尚未有足够的探索。

通过插入不同水合直径的阳离子来控制水分子对纳米通道壁的亲和性，拼多为理解石墨烯基纳米通道中水传输的摩擦提供了一个独特的平台。

多上图2阳离子插层的GOMs中的水运输©2022TheAuthors（a）阳离子插层GOMs的水通量随阳离子水合直径的变化规律。本内容为作者独立观点，拼多不代表材料人网立场。

研究人员研究了在50倍的盐度梯度下，多上双极膜的最大功率密度可达~6.2W/m2，比Nafion117高出13%。主要从事仿生功能界面材料的制备及物理化学性质的研究，拼多揭示了自然界中具有特殊浸润性表面的结构与性能的关系，拼多提出了二元协同纳米界面材料设计体系。

温度的独特分布将抑制生长过程中的气相反应，多上从而确保获得清洁度得到改善的石墨烯。此外，拼多研究人员展示了在金属箔上分层石墨烯合成的批量生产方法，证明了其技术可扩展性。